半导体引线脚纯锡电镀去氧化工艺的影响（二）

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　　下面我将从铜基体强腐蚀、铜基体表面过强氧化与基体表面过多杂质金属粒子残留三方面来讨论去氧化工艺对纯锡镀层变色的影响。
　　3.1去氧化液腐蚀性
( Q9 ~4 U: w  x$ E! W　　去氧化液的腐蚀性过强，经处理后的铜基体表面会变得粗糙。虽然增加了基体的表面积，但在这样高低不平的地方镀纯锡，给纯锡电镀的整平性能带来了挑战。纯锡镀层的空隙率明显大于锡铅镀层，主要是因为纯锡镀层的晶粒较大。在平面上排布时，锡晶粒与晶粒之间会留下较大空隙，那在一个高低不平的面上进行排布，肯定会造成更多的空隙，且镀层表面的平整度也会大大下降。铜基体强腐蚀与正常去氧化后所镀纯锡镀层晶粒排布的对比。
　　镀层晶粒排布凌乱，且晶粒之间的空隙较大，显示的镀层晶粒之间虽有空隙，但较平整，且空隙很明显，去氧化控制过强，会增加镀层表面的粗糙程度及镀层的空隙率，所以较容易变色。同时由于镀层表面粗糙和高空隙率，电镀后清洗的难度也相应增加，如清洗不彻底，更加速了镀层的变色。
6 r( X0 ?3 S3 ?4 N　　3.2去氧化液的氧化性
5 h% V. E' ?! ^* w) c( i　　氧化性较强的去氧化处理液不但容易造成铜基体强腐蚀，而且处理后的铜基体在后道水洗时，其表面在短时间内就会被空气再次氧化，基体表面会明显变色。因为经强氧化性的溶液处理后，铜基体表面附有较多的强氧化性物质，遇到空气中的氧气后，就加速氧化铜基体表面，使表面变色。与此同时，铜基体表面也会变得更加粗糙，表面携带的氧化性物质也难被清洗掉，通过长时间的携带，将大量的氧化性物质带到了镀液中，加速镀液中二价锡离子向四价锡离子转变，镀液开始变混浊。混浊的镀液又会影响锡离子的正常电化学沉积，使镀层夹带的杂质粒子增加，影响其空隙率，最终影响其防变色的能力。由于镀液变混浊后的异常镀层晶格。
　　3.3去氧化液去除杂质金属的能力
　　由于半导体封测行业的成本压力越来越大，许多生产商开始在引线框架铜材的纯度上想办法，最终导致引线框架铜材杂质金属含量越来越高。但为了保证在键合区能够较好地镀银，框架生产商又会在框架表面电镀一层铜，但这层铜厚度只有0.5￣1μm，在较强去氧化液处理过程中容易被剥离而露出杂质含量高的铜基体，而一般的去氧化液无法将全部杂质金属粒子去除。所以附有较多杂质的铜基体将会进入清洗后镀锡。但由于锡在不同金属上的析出电位不同，结合力不同等因素，最终会影响锡层的结晶形态。
　　镀层晶格排列尚可，但在晶粒上出现许多小孔，且每个晶粒形状较尖锐，这样也就增加了镀层表面的粗糙程度和空隙率。加上镀层内部杂质金属极易和镀层、铜基体形成腐蚀原电池，会加速镀层的腐蚀变色。
　　4结束语
　　随着半导体引脚纯锡电镀的发展，镀层变色问题将会被越来越重视。去氧化工艺对镀层的影响也会被逐渐突现出来。开发、使用腐蚀性、氧化性适中，能较好处理杂质金属粒子的去氧化化学品已经迫在眉睫。希望此文可以给正在和纯锡镀层变色作对抗的大量工程人员一点建议，相信该问题一定能被完美解决。
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