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近年来,面对持续高涨的芯片需求,半导体行业生产迎来了高难度挑战——对芯片工艺要求更精细,从5nm到3nm,甚至是2nm。“先进封装”的提出,是对技术的新要求,也是对封装工艺中材料和设备的全新考验。
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芯片身上布控着几千万根晶体管,而晶体管越小,可放置的晶体管越多,性能也将越高。芯片的进化就是晶体管变小的过程。晶体管密度更大、占用空间更少、性能更高、功率更低,但挑战也越来越难以克服。小尺寸下,芯片物理瓶颈越来越难以克服。尤其在近几年,先进节点走向10nm、7nm、5nm......白光3D轮廓测量仪适配芯片制造生产线,致力于满足时下半导体封装中晶圆减薄厚度、晶圆粗糙度、激光切割后槽深槽宽的测量需求,助力半导体行业发展。: |) B/ J ]! C( d& b" ^
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W1白光3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为140*100mm,满足晶圆表面大范围多区域的粗糙度自动化检测、镭射槽深宽尺寸、镀膜台阶高、弹坑等微纳米级别精度的测量。
2 z/ S+ n" Y: n台阶高精确度:0.3%+ @3 _9 C Q1 ]! F( ]) j0 K
台阶高重复性:0.08 % 1σ
- T3 t- G! d0 J1 _) P M- b, d4 R纵向分辨率:0.1nm! t0 S: T' q! X; u6 F: R+ j
RMS重复性:0.005nm3 f* S, T5 c: c: @- x' I: `
横向分辨率(0.5λ/NA):0.5um~3.7um
% h1 d9 m0 a, X5 @# P& k4 h* L& x0 V特点:粗糙度测量、弹坑测量、测量尺寸6英寸以下。- G5 a$ D: j$ _) O) D4 {
. W2 J8 o; ^ U7 I2 R8 p7 J* a; j8 QW3白光3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为300*300mm,超大规格平面、兼容型12英寸真空吸附盘能检测12寸及以下尺寸的Wafer;气浮隔振设计&吸音材质隔离设计,确保仪器在千级车间能有效滤除地面和声波的振动干扰,稳定工作;自动化测量半导体晶圆。( v- D! \: R* g8 |" i
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半导体领域专项功能
6 d; g* y0 }6 H! U- u1.同步支持6、8、12英寸三种规格的晶圆片测量,一键即可实现三种规格的真空吸盘的自动切换以配适不同尺寸晶圆;
) [+ |% |; R0 o0 \# s$ w- K% O9 P2.具备研磨供以后减薄片的粗糙度自动测量功能,一键可测量数十个小区域的粗糙度求取均值;# E5 f: }4 `, g0 Z
3.具备划片工艺中激光镭射开槽后的槽道深宽轮廓数据测量功能,可以一键实现槽道深宽相关的面和多条剖面线的数据测量与分析;
3 N3 W2 J# H; U/ w; B4.具备晶圆制造工艺中镀膜台阶高度的测量,覆盖从1nm~1mm的测量范围,实现高精度测量。
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! `6 M8 J3 T8 AW3白光3D轮廓测量仪测量12英寸硅晶圆 ! W& ^6 q2 h4 n0 N
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