镁合金铸件的常见缺陷及分析

HEATS

　　一 熔剂夹渣

- p6 _- \7 u* H# _+ k# j . w( B; G6 m x* B/ x" M

　　缺陷特征：

0 e& K9 M7 j! T' a& ?+ {

　　1.表面熔剂夹渣：大块的夹渣在出型时呈暗褐色，外形一般不太规则，小点的熔渣则难以发现，氧化处理前经酸洗能溶解它.

) ~* ]( g, `8 i, ^1 v* @ . D( U1 Q3 }! O- ^. ~

　　2.铸件内部的熔剂夹渣在X光底片上一般呈白色的斑点，在断口上呈暗灰色

# _1 x) B7 j, L* ]4 ]

　　3.熔剂夹渣一般分布在铸件浇注位置的下部内浇口附近及死角处

: ~* r5 V1 @+ d3 ?. n/ G0 H

　　4.经加工后，露于表面的熔剂夹渣放在空气中1～4小时就可以见到褐色的斑点，停放一段时间，便长出白毛。

　　产生原因：

l& N- v2 ^* D& O# i* A 5 r; T, X4 G( x% H6 ]& u: i0 D

　　1.工艺操作方面，合金液浇注前没有一定的静置时间，可提式坩埚或浇包出炉时不平稳，浇注完后浇包或坩埚残留量太少，浇包在坩埚内舀取合金液时，将熔渣搅入合金液内。工具或坩埚洗涤不干净.

$ B% M' K# b) K+ M( X

　　2.熔剂和变质剂的使用方面：熔剂或变质剂的成份，配制及保管不符合要求洗涤剂使用次数太多而变稠

' t- J0 N* G% f0 ^9 F! A* t 7 |1 V P. ]2 J! S: P1 ^5 ^ K

　　3.工具制造方面，茶壶式浇包或可提式坩埚底部挡渣板焊接质量不好，有渗漏现象。

2 y8 g j/ Z# o4 x % K( }" Z3 z4 _

　　防止方法：

5 f( p, x9 P3 N% k y

　　1.在坩埚内舀取合金液时用浇包的底部轻轻拨开熔剂层，然后用大口舀取，前一次舀取金属至下次舀取不少于4分钟

# j* V' z8 f) u) \

　　2.精炼和变质处理后至浇注前，镇静时间不少于15分钟，并打净熔渣，浇注中禁止撒熔剂，一般可以撒硫磺与硼酸混合物灭火

　　3.熔剂坩埚的温度不低于750~C，并洗净所用工具。浇完后，底朝上，漏净所有的熔剂

　　4.浇注时坩埚吊出要平稳

0 m& c* G; g" v

　　5.使用合格的熔剂，并定期检查

　　二 氧化夹渣

　　缺陷特征：1.位于铸件表面层，多以网状分布在内浇口I附近的铸件表面内。有时呈薄片带有皱纹的不I规则云彩状，断口常是黄色或褐色

　　2.沿铸件壁厚呈片状[的夹层或穿透整个壁厚；(也有分散的)，表面看去是一条金黄色或黄褐色流纹。打断口时，往往从夹层断裂，氧化皮夹在其中

# p* `, F+ z2 r" r

　　3.以团絮状存在于铸件内部多而薄壁铸件常露出表面。断口是暗灰色或黑色。有时常常有少量熔剂

% n! u( ]; x5 z

　　产生原因：1.在合金熔炼过程中生成氧化物而造成的夹渣(也称一次夹渣)。主要由于炉料不清洁，熔剂质量不好，以及熔炼过程不当所造成

* q4 W) }: Q7 r+ w. V) G

　　2.在浇注过程中合金氧化生成氧化物而造成的夹渣(也称二次夹渣)。多由于浇注系统设计不合理，铸型准备以及浇注过程操作不当等原因造成

8 C3 o0 p) e& i; m4 d! v

　　防止方法：1.一次夹渣可以通过纯洁炉料，仔细精炼，充分镇静，往合金中加入少量铍(0，001%～0.00296)等方法来排除

) d8 Y* _. }. q% J" ~

　　2.二次夹渣可通过下列方法防止，

% m3 Q+ R U) z/ L2 J

　　①正确地设计浇注系统：采用扩张式浇注系统，尽可能采用底注式或垂直隙缝内浇口，或采用蛇形扁平直浇道，安放过滤网，钢丝棉等过滤渣子。对大件采用在浇口杯内安放与浇注合金成分相同、厚度适当的堵片

　　②正确地浇注合金，使直浇口始终充满金属，不要用小浇包来浇大件，浇注时在浇口杯和型腔表面撒一层干硫磺与硼酸的混合物防护剂

　　③正确地控制好造型操作，保持规定的型砂水分，并均匀地椿实铸型，砂芯要干透龟控制好停放及合箱

　　三 裂纹

t! s6 T* g+ T! s3 ]6 u ; L" @+ _3 _4 \, @6 D

　　缺陷特征：1.热裂纹，铸件上有直的或曲折的分裂隙缝(穿通裂纹)和裂口(非穿通裂纹)，裂纹处的断面被强烈氧化呈深灰色或黑色，无金属光泽，并且沿结晶晶界边缘裂开。多发生在铸件尖角处的内侧厚薄断面交接处及浇冒口与铸件连接的热节区

8 I/ }# O" R9 G1 M7 K; j' P

　　2.冷裂纹，外观呈直线或不规则的曲线，断裂处的金属表面洁净，具有金属光泽裂纹处的金属表面被氧化或被轻微氧化，裂纹不在结晶晶界上，而是在晶体上

9 \& C+ V v% ?) X* t* c% D2 ?+ i